HAD0130
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产品描述
HAD0130 是一款集成解决方案,将 N-通道功率 MOSFET、低压振荡器、电荷泵和低功耗电压感知单元集成在 TO-263 封装中。它与传统的D2PAK封装肖特基二极管兼容,和传统二极管相比,它提供了低正向电压、低功耗、极小的漏电流和高反向电压等优点。
![TO263.jpg](/Public/Uploads/uploadfile/images/20240522/6662a5d8604ba.jpg)
优势介绍
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最大反向电压(VR)为40V
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正向电压(VF)在25A正向电流(IF)下为75mV
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在IF=25A和125°C环境温度(TA)下连续工作时,功耗低于2.4W
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在VR=40V时的低反向泄漏电流为0.2µA
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当源极到漏极电压(VSD)为-20mV时的低反向闩锁响应时间为3.5µs
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ESD等级为30kV(HBM)
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工作环境温度范围(TA)为-40℃至125℃
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零静态功耗(IQ到GND)