HAD0130

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产品描述

HAD0130 是一款集成解决方案,将 N-通道功率 MOSFET、低压振荡器、电荷泵和低功耗电压感知单元集成在 TO-263 封装中。它与传统的D2PAK封装肖特基二极管兼容,和传统二极管相比,它提供了低正向电压、低功耗、极小的漏电流和高反向电压等优点。

TO263.jpg

优势介绍

  • 最大反向电压(VR)为40V

  • 正向电压(VF)在25A正向电流(IF)下为75mV

  • 在IF=25A和125°C环境温度(TA)下连续工作时,功耗低于2.4W

  • 在VR=40V时的低反向泄漏电流为0.2µA

  • 当源极到漏极电压(VSD)为-20mV时的低反向闩锁响应时间为3.5µs

  • ESD等级为30kV(HBM)

  • 工作环境温度范围(TA)为-40℃至125℃

  • 零静态功耗(IQ到GND)

28V LDMOS MMIC

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