产品描述

HAD0200 是一款理想二极管控制器芯片,该芯片与 N型 MOSFET 和电容一起使用作为理想二极管。它提供了比传统的肖特基二极管更优越性能,具有以下优点:更低的正向电压降、更少的损耗、极小的反向漏电流和更高的反向电压。

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优势介绍

  • 最大反向电压(VR)为100V

  • 最小启动电压(VF)为0.48V

  • MOSFET通态周期在25℃时为99%

  • MOSFET通态周期在125℃时为97.5%

  • 反向漏电流为0.1µA(典型值),-100V反向电压下为50µA(最大值)

  • 当源极到漏极电压(VSD)为-20mV时反向恢复时间为3.7µs

  • 静电放电等级为4kV(HBM)和750V(CDM)

  • 工作环境温度范围从-40℃到125℃

28V LDMOS MMIC

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