新能源核心芯片，加速社会能效转型战略

650V，1200V 超级结技术，开关损耗低，芯片薄，工作频率高； 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 标准封装，TO-247-4L 封装开尔文结构效率更优。

自研自产SiC芯片，100%burn-in，高可靠性，行业领先Rsp；全自动化模块封测线，有压银烧结，良好的散热与可靠性

七代FSIGBT与超级结IGBT，高可靠性，行业领先的性能；全自动化模块封测线，高温双脉冲筛选，良好的可靠性