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LDMOS MMIC

基于高性能低成本的LDMOS MMIC工艺，我们开发了高效率、高宽带，高集成度的产品。

概览

简介特性应用优势目标应用

基于高性能低成本的LDMOS MMIC工艺，我们开发了高效率、高宽带，高集成度的产品。

这些高性能低成本的MMIC产品，是基于华太电子自主创新的LDMOS工艺平台设计，供电采用22V，26V，28V，48V频率可以覆盖600MHz~5GHz，为小基站末级、mMIMO和宏站驱动提供全面解决方案。

- 内部高集成Doherty设计的创新型、高性能基站产品，申请多项专利，性能业界领先
- 产品封装采用LGA/QFN/PQFN，集成内部匹配，可实现50ohm输入/输出
- 产品覆盖600M-5GHz，封装可根据客户需求完全PIN to PIN兼容

- 集成Doherty架构
- 输入输出50欧姆内部匹配
- 高效率高线性
- 低成本
- 高增益
- 高可靠性

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