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RugSiC系列产品

全新的器件和工艺设计,解决了沟道迁移率差和栅氧可靠性问题

概览

RugSiC(Rugged-SiC),即高鲁棒性碳化硅器件。该器件不仅具备极高鲁棒性、可靠性,而且高频性能比肩氮化镓,在半导体产业史上有着特殊意义:自1947年贝尔实验室发明晶体管以来,它是首个中国本土发明,拥有自主知识产权的新概念半导体器件,将以关键元器件的角色,走进全球万千家庭和工业应用场景。

 

性能更优: 龙驰 RugSiC为常关 E-mode 器件,对比头部友商, Rsp减小至少20%,同规格RugSiC具有15%的面积优势,应用系统具备更强的异常工况适应能力,提升系统可靠性;


短路耐量高: 高温饱和电流降低约70%,短路能力可提升至10us以上(实测)满足工控领域应用需求。降低车载领域短路保护回路系统复杂度,降低成本,提升短路安全余量;


产品时域一致性高: 具备更佳沟道性能稳定性, RugSiC不存在阈值漂移问题,在高频多管串并 联应用场合中产品开关同步性好,提高系统运行安全系数;


使用寿命长: 具备更佳沟道性能稳定性,RugSiC 不存在栅氧击穿问题,产品具备更长的使用寿命,降低新能源系统的运维成本。


RugSiC已经通过所有JEDEC可靠性标准测试

常关型SiC JFET
无栅氧及对应可靠性问题
短路耐量超 SiC VDMOS 4-5倍
开关损耗极低

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H8G1819M10P

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