引言
随着光伏与储能系统的快速发展，新能源市场对效率和功率密度的要求越来越高，这要求功率器件的开关频率和性能同步提升。为了满足高开关频率的需求，华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代（以下简称：SJ-IGBT G2）系列产品。与场截止型IGBT相比，SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势，显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。
01 SJ-IGBT G2技术特点
采用超级结IGBT可完美实现高耐压、低通态压降的特性。在功率器件关断时，低掺杂的外延层要承受高耐压；在功率器件导通时，器件内部形成一个高掺杂N+区，作为功率器件的电流通路。
相比于传统FS IGBT，SJ-IGBT G2有如下优势：
低导通压降：在同样的反向耐压下，SJ-IGBT G2具有更薄的漂移区，可有效降低芯片导通压降。
低开关损耗：漂移区的超级结结构能够加速空间电场建立速度，有效提升器件开关速度，降低开关损耗。
高转换效率：华太SJ-IGBT G2与国际友商最新第七代IGBT相比，综合性能提升40%以上，使得设备体积更小，成本更低。
02 SJ-IGBT G2性能展示
SJ-IGBT G2分为高性能(HP)和高性价比(HF)系列：
SJ-IGBT G2 HP系列拥有极低的开关损耗，可以支持硬开关频率到100KHZ，软开关频率到250kHZ，主打高频应用场景。
SJ-IGBT G2 HF系列与国际友商H7系列的产品性能相当，芯片面积降低10%以上，主打高性价比。
在单体和整机应用中SJ-IGBT G2与友商的性能对比:
单体性能展示
整机性能展示
SJ-IGBT G2 HF系列在充电桩PFC电路中替代原有IGBT测试
PFC效率对比-1000V
1000V条件下华太SJ-IGBT G2 HF效率最优（满载效率较原装高0.06%，轻载高0.28%）。
PFC效率对比-500V
500V条件下华太SJ-IGBT G2 HF效率最优（30kW效率较原装高0.13%，轻载高0.17%）。
40kW PFC替代测试结论
2.SJ-IGBT G2 HP系列在充电桩LLC电路中替代超结MOS测试
1000V输出条件下VCE&效率对比
与友商SJ
MOS相比，SJ2
HP IGBT单管系统效率最高95.09%@20KW，在满载情况下，SJ2
HP比友商高0.98%
500V输出条件下VCE&效率对比
与友商SJ
MOS相比，SJ2
HP IGBT单管系统效率最高95%@25KW，在轻载情况下，SJ2
HP比友商高1.24%
03 SJ-IGBT G2适合的应用
04 SJ-IGBT 产品概览
SJ-IGBT G2产品列表
SJ-IGBT G1产品列表
结语
由于SJ-IGBT第二代具有高开关频率、低导通损耗和成本优势，目前SJ-IGBT系列产品已在光伏、储能等领域实现了大规模应用。该产品逐渐形成系列化，公司在全国多个核心城市，如苏州、北京、上海、深圳和西安设立了办事处，为全国客户提供优质服务。欢迎广大客户前来咨询与合作。
关于华太
苏州华太电子技术股份有限公司（简称：华太），成立于2010年3月，是一家拥有半导体产业链多环节底层核心技术、多领域布局协同发展的平台型半导体公司。公司主要从事射频系列产品、功率系列产品、专用模拟芯片、工控SoC芯片、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务，产品可广泛应用于通信基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能终端、新能源汽车、工业控制等大功率场景。
我们的团队精通器件设计、工艺开发、功放设计、大信号模型开发、单片微波集成电路设计、封装设计、可靠性测试和量产。未来，华太将继续培育新兴技术，为全球客户提供创新解决方案。
