应用描述
充电要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,因此开发高能效、高性能、具有丰富保护功能的充电桩对于实现快速充电、提升续航历程至关重要。华太推出了用于电动汽车直流充电桩的可以替代超结MOS的高性能超级结 IGBT 和具成本优势的 IGBT方案。
10-30kW 拓扑
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功率器件系列产品
IGBT单管
集成Doherty设计,覆盖700M-5GHz应用频率,峰值功率6~100W; 自主28V LDMOS 工艺平台,全国产供应; 产品性能国际领先,已在国内外关键客户大规模量产。
峰值功率20W-1000W; 工作频率10MHz-6GHz;基于自主知识产权的28V,50V LDMOS和GaN工艺平台开发 全国产供应; 封装材料自主开发设计,具有低成本、高可靠性。
峰值功率最大支持75W CW;主要工作频段频率覆盖VHF和UHF;主要工作电压:3.6V,7.2V和12.5V
峰值功率10W到4000W;工作频率400KHz到2.5GHz;
峰值功率25dBm,供电5V,覆盖主要的通信频段1800~5000MHz;
提供射频核心器件,拥有国际领先的LDMOS 自主工艺和MMIC设计团队,帮助客户快速完成系统开发。
针对关键的汽车电子系统,提供创新的汽车级半导体解决方案。华太已全面布局车规功率,车载芯片能力建设并陆续进入汽车尤其新能源汽车供应体系。
华太自主创新的LDMOS可实现低成本、高性能WiFi射频功放产品,助力大功率WiFi路由器实现突破。
针对关键的汽车电子系统,提供创新的汽车级半导体解决方案。华太已全面布局车规功率, 车载芯片能力建设并陆续进入汽车尤其新能源汽车供应体系
提供可靠高效优质的下一代功率半导体,缩短开发时间,同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗,推动低碳发展。
峰值功率10W到4000W;工作频率400KHz到2.5GHz
充电要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,因此开发高能效、高性能、具有丰富保护功能的充电桩对于实现快速充电、提升续航历程至关重要。华太推出了用于电动汽车直流充电桩的可以替代超结MOS的高性能超级结 IGBT 和具成本优势的 IGBT方案。
功率器件系列产品
IGBT单管