mMIMO 基站

应用描述

随着移动通信的快速发展，新一代5G通信技术正向更高的通信速率、更高的效率、更高的可靠性、更低的系统时延、更大的系统容量以及更大规模的系统设备连接发展，射频功率放大器作为该系统的关键器件，会直接影响整个系统的性能表现。基于高性能低成本LDMOS MMIC工艺，实现了高效率，大带宽和50欧姆输入输出全集成功能。

华太自2010年就开始研究LDMOS工艺，设计基于该工艺的射频功放芯片，打破了国际垄断，同时也在加大力度投入GaN产品研发，两种工艺互补，采用创新式架构，可为移动通信mMIMO基站产品提供解决方案。

mMIMO

射频系列产品

H9G4850M12Q

LDMOS MMIC

4800 MHz,5000 MHz,28 V

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H9G4750M12P

LDMOS MMIC

4700 MHz,5000 MHz,28 V

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H9G3336M12Q

LDMOS MMIC

3300 MHz,3600 MHz,28 V

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H8G3336M12P

LDMOS MMIC

3300 MHz,3600 MHz,28 V

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H9G2527M10Q

LDMOS MMIC

2500 MHz,2700 MHz,28 V

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H8G2527M10P

LDMOS MMIC

2500 MHz,2700 MHz,28 V

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H9G2324M10Q

LDMOS MMIC

2300 MHz,2400 MHz,28 V

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H8G2324M10P

LDMOS MMIC

2300 MHz,2400 MHz,28 V

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H9G2122M10Q

LDMOS MMIC

2110 MHz,2200 MHz,28 V

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H8G2022M10P

LDMOS MMIC

2110 MHz,2170 MHz,28 V

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H9G1819M10Q

LDMOS MMIC

1805 MHz,1880 MHz,28 V

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H8G1819M10P

LDMOS MMIC

1805 MHz,1880 MHz,28 V

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H9G4750M10P

LDMOS MMIC

4700 MHz,5000 MHz,28 V

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