发布单管3000W LDMOS射频功放管
推出第二代宏站MMIC驱动
推出直放站全系列产品
终端PA电源Buck-Boost芯片量产
1200V/650V二代超级结IGBT量产
1200V SiC MOS G3实现批量出货
工商业储能IGBT模块实现批量出货
HPD车规模块量产线正式通线
光伏旁路理想二极管量产
推出单片高集成的BMS AFE芯片
量产Copter E001系列单双核高端MCU产品

成立新加坡海外总部
发布第二代MMIC小站产品
射频功放芯片累计出货量突破2亿颗
金刚石铜批量出货
650V二代超级结IGBT验证送样
功率模块产能拉升至300万只
推出实时微控制器Copter E001系列

成立荷兰应用支持中心
B1B3宽带LDMOS MMIC PA量产出货
瑶华射频封测产品(ACS)累计出货量突破100万颗
瑶华功率模块量产， 年产达60万只
1200V FS IGBT出货超过10KK
650V一代超级结IGBT量产
工业级IGBT模块实现量产
建立全自动化电镀线

成立模拟芯片产品线
Sub-1G 700W功放量产
射频功放芯片累计出货量突破1亿颗
MMIC PA 量产导入海外大客户CPC年出货量超百万颗
650V 超级结IGBT验证送样
完成瑶华IGBT模块封测产线建设
成功开发高性能MCU测试片

合并佛山华智新材料有限公司
建立长沙瑶华封测厂，布局大功率射频封测业务（ACS）
成立数字SoC产品线
LDMOS MMIC小站产品量产
1200V FS IGBT量产
开始SiC MOSFET 芯片开发

成立上海研发中心
mMIMO射频功放芯片量产
启动超级结IGBT芯片技术研发

通过ISO9001：2005认证
射频功放芯片累计出货量突破2000万颗

荣获国家级高新技术企业资质
LDMOS 4G LTE射频功放芯片量产
对讲机功放芯片量产
启动FS IGBT芯片技术研发,布局新能源赛道

LDMOS GSM基站的大功率射频功放芯片量产

公司注册成立
开始与国内Foundry
LDMOS专线合作