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高压旁路理想二极管

结合N型MOSFET和电容，性能优于传统肖特基二极管，具备更低正向电压、更低损耗、极小反向漏电流和更高反向电压

概览

简介特性应用优势目标应用

结合N型MOSFET和电容，性能优于传统肖特基二极管，具备更低正向电压、更低损耗、极小反向漏电流和更高反向电压

- 100V最高反向电压
- 低导通电阻/高占空比于控制电压
- 零静态功耗
- 低至1μA的反向漏电

- 正向导通电压远低于肖特基二极管
- 典型反向漏电低至0.1µA
- 99%占空比，有效降低正向通流的功耗

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