华太电子已经成功量产了1200V和650V场截止IGBT(FS-IGBT)。这些器件采用国际领先的第七代工艺,并采用精细沟槽栅的设计。
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Q:华太IGBT产品和其他国产品牌对比在性能和价格上的优势和劣势是什么?
A:开关损耗较竞品小30%;劣势:di/dt偏大容易导致电压应力过大,需要外电路匹配产品具有很好的性价比,产品性能优于国际头部友商,价格与国内IGBT基本持平。
Q:SJIGBT相对FSIGBT的优缺点,需要提供相关的测试数据,特别是SJ相对比现在FS的缺点,有碰到哪些问题?成本优势?供应?还是技术还存在某些问题?是否是制约当前SJIGBT发展的重要因素。
A:开关损耗较竞品小30%;劣势:di/dt偏大容易导致电压应力过大,需要外电路匹配。