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FS-IGBT单管系列产品

华太电子已经成功量产了1200V和650V场截止IGBT(FS-IGBT)。这些器件采用国际领先的第七代工艺,并采用精细沟槽栅的设计。

概览

华太电子已经成功量产了1200V和650V场截止IGBT(FS-IGBT)产品,FS-IGBT技术在能源转换、电力控制和汽车电子等领域中发挥着重要的作用,为提高效率和性能提供了先进的解决方案。
华太FS-IGBT采用国际领先的第七代工艺,基于精细沟槽栅器件结构进行产品开发,上述设计极大地优化了IGBT导通损耗和关断损耗。此外,为适应工业控制应用领域的需求,FS-IGBT平台已开发具备13us短路能力的系列产品。
目前,FS-IGBT已经在多个领域得到推广应用,包括光伏逆变器、不间断电源、通用变频器、伺服驱动器以及汽车空调等应用。
- 超低开关损耗
- 超低静态损耗
- 内部集成SiC肖特基二极管(SBD)或FRD可选
- 最大结温高达175℃
- 符合JEDEC认证标准
- 提升系统能量转换效率
- 降低系统散热需求
- 提升系统功率密度
- 提高系统开关频率

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常见问题

Q:华太IGBT产品和其他国产品牌对比在性能和价格上的优势和劣势是什么?

A:开关损耗较竞品小30%;劣势:di/dt偏大容易导致电压应力过大,需要外电路匹配产品具有很好的性价比,产品性能优于国际头部友商,价格与国内IGBT基本持平。

Q:SJIGBT相对FSIGBT的优缺点,需要提供相关的测试数据,特别是SJ相对比现在FS的缺点,有碰到哪些问题?成本优势?供应?还是技术还存在某些问题?是否是制约当前SJIGBT发展的重要因素。

A:开关损耗较竞品小30%;劣势:di/dt偏大容易导致电压应力过大,需要外电路匹配。

H8G1819M10P

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