在新能源与工业电源领域，高效、高可靠性功率器件是系统设计的核心。华太电子正式发布超结二代（SJ-IGBT）家族新品—HGW75N65S2HEM与HKW75N65S2HEM，以650V/75A双规格、超低损耗与智能集成设计，为中高压应用提供了更加高效和可靠的解决方案。

随着工业射频电源、粒子加速器、医疗影像、射频加热等领域的快速发展，射频功率放大器正面临前所未有的技术挑战。大功率、高效率、高可靠性已成为射频功放器件发展的核心方向。在这一背景下，华太电子推出的3K0射频功放器件，凭借超高压RF-LDMOS工艺和封装等多项技术突破，成功站上行业前沿，成为射频功放领域的标杆产品。

近年来，随着全球能源转型的加速，光伏发电和变频控制领域迎来爆发式增长。作为该领域的核心控制器件，MCU芯片的性能直接决定了系统的效率、可靠性和成本竞争力。华太电子的MCU基于ARM双核Cortex-M7架构研发的高性能控制芯片，已在光伏逆变器和工业变频器中获得广泛应用。然而，面对国际大厂的生态壁垒和客户系统的高迁移成本，如何突破市场信任瓶颈成为关键课题。近期，华太电子SOC产品线通过自主搭建逆变器系统进行芯片全场景验证，成功证明了其技术成熟度，为市场竞争开辟了新路径。

华太电子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 两款 LDMOS 放大器，分别覆盖 1.8 - 950 MHz 和 3.4 - 3.8 GHz 的频段，均提供 15W 的输出功率。这两款产品凭借其高效、稳定的性能，为 5G 和无线通信应用提供了强大的技术支持。