华太电子研发出650V和1200V超级结IGBT（SJ-IGBT）系列产品，超级结IGBT充分利用Super Junction结构的物理优势，有效提升器件的正向导通特性及开关性能，推动高性能电力转换系统设计。
功率器件承压能力与芯片漂移区厚度密切相关，一般设计中，均采用低掺杂、厚漂移区的结构，以保证器件能够符合目标耐压等级要求。由于超级结IGBT内部具有更加平坦的电场分布，相较传统FS-IGBT，SJ-IGBT可采用更薄的漂移区以满足器件耐压等级的要求。薄的漂移区有利于降低器件的通态压降，从而实现降低IGBT通态损耗的目标。此外，超级结结构使得IGBT在关断过程中，加速过剩载流子空穴的抽离，从而有效降低IGBT开关损耗。
目前，华太SJ-IGBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用，助力高效、高频化的电力电子系统设计。